碳化硅（SiC）上的栅水解膜不会严重影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能。本文作者通过电容－电压（C－V）测试研究了形变／突发事件引发的曲率对栅氧界面态密度（Dit）的影响。

外延晶片的曲率通过薄膜形变测量系统展开测试。在干燥水解过程中，传输／剪切曲率造成SiO2的于是以Vfb位移（胜相同电荷），SiO2／SiC的界面态密度减少。另外，文章还找到样品的横光学（TO）声子波数与薄膜的曲率有关，这指出形变主要不会影响SiO2／SiC的界面。根据实验结果，本文作者明确提出“无形变”水解膜有可能是SiC－MOSFET应用于的最佳自由选择。

实验自由选择4英寸SiC全晶片展开，其可以测量由形变引发的曲率。

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